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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：1991    专题：兰州大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 THE EQUILIBRATION BEHAVIOR OF DEFECTS IN BORON DOPED HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON-CARBON FILMS DURING THE ANNEALING PROCESS 期刊论文 PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1991, 卷号: 126, 期号: 2, 页码: K99-K103 - 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2015/05/25 Boron depth profiles in a-Si1-xCx:H(B) films after thermal annealing 会议论文 Shanghai, China, April 15, 1991 - April 17, 1991 作者:  Liao, Chang G.;  Zheng, Zhi H.;  Wang, Yong Q.;  Yang, Sheng S. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/01/17 Silicon Carbide  Boron  Heat Treatment  Annealing  Semiconducting Films  Amorphous  Silicon Carbide  Amorphous  Boron Doping  Depth Profiles  Hydrogenated Amorphous Silicon Carbide  Thermal Stability   DEPTH PROFILES OF BORON IN IPI AMORPHOUS-SILICON FILMS WITH (P,ALPHA) RESONANCE REACTION 期刊论文 VACUUM, 1991, 卷号: 42, 期号: 8-9, 页码: 533-535 作者:  LIAO, CG;  ZHENG, ZH;  WANG, YQ;  JIANG, BY 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/12/15 STUDY OF BORON DEPTH PROFILES IN IPI AMORPHOUS-SILICON FILMS AFTER THERMAL ANNEALING USING THE (P,ALPHA) REACTION 期刊论文 VACUUM, 1991, 卷号: 42, 期号: 17, 页码: 1129-1132 作者:  LIAO, CG;  ZHENG, ZH;  WANG, YQ;  YANG, SS;  JIANG, H 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/12/15 Boron depth profiles in a-Si1-xCx:H(B) films after thermal annealing 会议论文 1991 International Conference on Thin Film Physics and Applications, Shanghai, China, April 15, 1991 - April 17, 1991 作者:  Liao, Changgeng;  Zheng, Zhihao;  Wang, Yongqiang;  Yang, Shengsheng 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2017/01/20 Semiconducting Silicon  Heat Treatment  Annealing  Semiconducting Films  Photovoltaic Effects  Semiconductor Materials  Doping  Solar Cells  Silicon  Boron Doped Silicon  Hydrogenated Amorphous Silicon  Thermal Annealing  Wind Band Gap Semiconductors