QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Near vacuum-ultraviolet aperiodic oscillation emission of AlN films 期刊论文 SCIENCE BULLETIN, 2020, 卷号: 65, 期号: 10, 页码: 827-831 作者:  Yanming Zhu;   Richeng Lin;   Wei Zheng;   Junxue Ran;   Feng Huang 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2021/06/17 Deep-ultraviolet aperiodic-oscillation emission of AlGaN films 期刊论文 OPTICS LETTERS, 2020, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 1719-1721 作者:  Yanming Zhu;   Wei Zheng;   Junxue Ran;   Feng Huang 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2021/12/16 High quality GaN-based LED epitaxial layers grown in a homemade MOCVD system 期刊论文 journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 3, 页码: 33002 Yin, Haibo; Wang, Xiaoliang; Ran, Junxue; Hu, Guoxin; Zhang, Lu; Xiao, Hongling; Li, Jing; Li, Jinmin 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/06/14 Epitaxial growth  Gallium nitride   Growth temperature dependences of inn films grown by mocvd 期刊论文 Applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 3149-3152 作者:  Yang, Cuibai;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Zhang, Xiaobin;  Hua, Guoxin 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/12 Inn  Mocvd  Mobility   Theoretical design and performance of inxga1-xn two-junction solar cells 期刊论文 Journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 24, 页码: 6 作者:  Zhang, Xiaobin;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Yang, Cuibai;  Ran, Junxue 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/12 Theoretical design and performance of InxGa1-xN two-junction solar cells 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2008, 卷号: 41, 期号: 24, 页码: 6 作者:  Zhang, Xiaobin;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Yang, Cuibai;  Ran, Junxue 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2021/02/02 Theoretical design and performance of InxGa1-xN two-junction solar cells 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2008, 卷号: 41, 期号: 24, 页码: 6 作者:  Zhang, Xiaobin;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Yang, Cuibai;  Ran, Junxue 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2021/02/02 Influence of aln buffer layer thickness on the properties of gan epilayer on si(111) by mocvd 期刊论文 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1710-1713 作者:  Luo, Weijun;  Wang, Xiaoliang;  Guo, Lunchun;  Mao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Si(111)  Crack  Aln  Mocvd   Growth and fabrication of algan/gan hemt based on si(111) substrates by mocvd 期刊论文 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111 作者:  Luo, Weijun;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimie;  Ran, Junxue 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/gan  High electron mobility transistor (hemt)  Si (111)   The effect of low temperature aln interlayers on the growth of gan epilayer on si (111) by mocvd 期刊论文 Superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 153-159 作者:  Luo, Weijun;  Wang, Xiaoliang;  Guo, Lunchun;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Gallium nitride crack  Low temperature aluminum nitride  Interlayer  Silicon