QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：近代物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    发表日期：2019     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Transmission electron microscopy study of extended defects in high dose He-implanted GaN after annealing at 450 degrees C 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2019, 卷号: 454, 页码: 45-49 作者:  Li, Bingsheng;  Liu, Yuzhu;  Liu, Huiping;  Kang, Long;  Xiong, Anli 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2019/11/10 GaN  He ion implantation  Microstructure  Extended defects