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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Applied    发表日期：2000     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of damage behaviour and isolation effect of n-type 6H-SiC by implantation of oxygen 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2000, 卷号: 33, 期号: 12, 页码: 1551-1555 Wang, LW; Huang, JP; Duo, XZ; Song, ZT; Lin, CL; Zetterling, CM; Ostling, M 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/24 ENHANCED THERMAL-OXIDATION  ION-IMPLANTATION  SILICON-CARBIDE  AMORPHIZATION  LAYERS