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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2005 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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学科主题:半导体材料
发表日期:2005
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Effect of ion flux on recrystallization and resistance lowering in phosphorus-implanted (0001)-oriented 4H-SiC
期刊论文
chinese physics, 2005, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 599-603
Xin G
;
Sun, GS
;
Li JM
;
Zhang YX
;
Lei W
;
Zhao WS
;
Zeng YP
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提交时间:2010/03/17
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