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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：Multidisciplinary     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Enhanced Total Ionizing Dose Susceptibility in Narrow Channel Devices 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 7, 页码: 70701 Liu,ZL; Hu,ZY; Zhang,ZX; Shao,H; Ning,BX; Bi,DW; Chen,M; Zou,SC 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/04/10 IOP PUBLISHING LTD   Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 120703 Liu,ZL; Hu,ZY; Zhang,ZX; Shao,H; Chen,M; Bi,DW; Ning,BX; Zou,SC 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/04/10 IOP PUBLISHING LTD   Impact of substrate bias on radiation-induced edge effects in MOSFETs 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 120702 Hu,ZY; Liu,ZL; Shao-Hua; Zhang,ZX; Ning,BX; Chen,M; Bi,DW; Zou,SC 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/04/10 IOP PUBLISHING LTD   Bias dependence of a deep submicron NMOSFET response to total dose irradiation 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 70701 Liu,ZL; Hu,ZY; Zhang,ZX; Shao,H; Chen,M; Bi,DW; Ning,BX; Zou,SC 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/04/10 IOP PUBLISHING LTD   Total ionizing dose effect of 0. 18 mu M nMOSFETs 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 11, 页码: 116103 Liu,ZL; Hu,ZY; Zhang,ZX; Shao,H; Ning,BX; Bi,DW; Chen,M; Zou,SC 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/04/10 CHINESE PHYSICAL SOC