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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Depth-dependent etch pit density in Ge epilayer on Si substrate with a self-patterned Ge coalescence island template 期刊论文 THIN SOLID FILMS, 2012, 卷号: 520, 期号: 6, 页码: 2307-2310 Huang, SH; Li, C; Zhou, ZW; Chen, CZ; Zheng, YY; Huang, W; Lai, HK; Chen, SY 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/04/17 Ge-on-Si  Dislocation density  Ge coalescence island template   Depth-dependent etch pit density in Ge epilayer on Si substrate with a self-patterned Ge coalescence island template 期刊论文 THIN SOLID FILMS, 2012, 卷号: 520, 期号: 6, 页码: 2307-2310 Huang, SH; Li, C; Zhou, ZW; Chen, CZ; Zheng, YY; Huang, W; Lai, HK; Chen, SY 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/05/10 Materials Science  Materials Science  Physics  Physics  Multidisciplinary  Coatings & Films  Applied  Condensed Matter   Pressure-induced reversible amorphization and an amorphous-amorphous transition in Ge2Sb2Te5 phase-change memory material 期刊论文 PROCEEDINGS OF THE NATIONAL ACADEMY OF SCIENCES OF THE UNITED STATES OF AMERICA, 2011, 卷号: 108, 期号: 26, 页码: 10410-10414 Sun,ZM; Zhou,J; Pan,YC; Song,ZT; Mao,HK; Ahuja,R 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/04/10 NATL ACAD SCIENCES   Pressure-induced reversible amorphization and an amorphous-amorphous transition in Ge2Sb2Te5 phase-change memory material 期刊论文 PROCEEDINGS OF THE NATIONAL ACADEMY OF SCIENCES OF THE UNITED STATES OF AMERICA, 2011, 卷号: 108, 期号: 26, 页码: 10410-10414 Sun, ZM; Zhou, J; Pan, YC; song, zt(重点实验室）; Mao, HK; Ahuja, R 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/05/10 Multidisciplinary Sciences   Enhanced photoluminescence of strained Ge with a delta-doping SiGe layer on silicon and silicon-on-insulator 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 95, 期号: 25, 页码: 251102-251102 Li,C; Chen,YH; Zhou,ZW; Lai,HK; Chen,SY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 ROOM-TEMPERATURE  GERMANIUM  GAIN   Enhanced photoluminescence of strained Ge with a delta-doping SiGe layer on silicon and silicon-on-insulator 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 95, 期号: 25, 页码: 251102 Li, C; Chen, YH; Zhou, ZW; Lai, HK; Chen, SY 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Applied