×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [38]
内容类型
期刊论文 [34]
会议论文 [4]
发表日期
2014 [3]
2012 [4]
2011 [10]
2010 [6]
2009 [1]
2008 [5]
更多...
学科主题
半导体材料 [38]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共38条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Large and robust electrical spin injection into GaAs at zero magnetic field using an ultrathin CoFeB/MgO injector
期刊论文
physical review b, 2014, 卷号: 90, 期号: 8, 页码: 085310
Liang, SH
;
Zhang, TT
;
Barate, P
;
Frougier, J
;
Vidal, M
;
Renucci, P
;
Xu, B
;
Jaffres, H
;
George, JM
;
Devaux, X
;
Hehn, M
;
Marie, X
;
Mangin, S
;
Yang, HX
;
Hallal, A
;
Chshiev, M
;
Amand, T
;
Liu, HF
;
Liu, DP
;
Han, XF
;
Wang, ZG
;
Lu, Y
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2015/03/25
Analysis of InGaN light-emitting diodes with GaN-AlGaN and AlGaN-GaN composition-graded barriers
期刊论文
journal of applied physics, 2014, 卷号: 115, 期号: 23, 页码: 233102
Yang, YJ
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Zeng, YP
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2015/04/02
Evidence of Type-II Band Alignment in III-nitride Semiconductors: Experimental and theoretical investigation for In0.17Al0.83N/GaN heterostructures
期刊论文
scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 6521
Wang, JM
;
Xu, FJ
;
Zhang, X
;
An, W
;
Li, XZ
;
Song, J
;
Ge, WK
;
Tian, GS
;
Lu, J
;
Wang, XQ
;
Tang, N
;
Yang, ZJ
;
Li, W
;
Wang, WY
;
Jin, P
;
Chen, YH
;
Shen, B
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2015/03/20
Morphological Evolution of a-GaN on r-Sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2012, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 26801
Sang, L
;
Liu, JM
;
Xu, XQ
;
Wang, J
;
Zhao, GJ
;
Liu, CB
;
Gu, CY
;
Liu, GP
;
Wei, HY
;
Liu, XL
;
Yang, SY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2013/03/17
Hydride vapor phase epitaxy of strain-reduced GaN film on nano-island template produced using self-assembled CsCl nanospheres
期刊论文
materials letters, 2012, 卷号: 68, 页码: 327-330
Wei, TB
;
Chen, Y
;
Hu, Q
;
Yang, JK
;
Huo, ZQ
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Liao, YX
;
Yin, FT
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2013/03/17
20 W High-Power Picosecond Single-Walled Carbon Nanotube Based MOPA Laser System
期刊论文
journal of lightwave technology, 2012, 卷号: 30, 期号: 16, 页码: 2713-2717
Zhang L (Zhang, Ling)
;
Wang YG (Wang, Yong Gang)
;
Yu HJ (Yu, Hai Juan)
;
Sun W (Sun, Wei)
;
Yang YY (Yang, Ying Ying)
;
Han ZH (Han, Ze Hua)
;
Qu Y (Qu, Yan)
;
Hou W (Hou, Wei)
;
Li JM (Li, Jin Min)
;
Lin XC (Lin, Xue Chun)
;
Tsang Y (Tsang, Yuen)
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2013/04/02
Light extraction efficiency improvement by multiple laser stealth dicing in InGaN-based blue light-emitting diodes
期刊论文
optics express, 2012, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 6808-6815
Zhang, YY
;
Xie, HZ
;
Zheng, HY
;
Wei, TB
;
Yang, H
;
Li, J
;
Yi, XY
;
Song, XY
;
Wang, GH
;
Li, JM
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2013/03/17
Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69
作者:
Song HP
;
Wei HY
;
Li CM
;
Jiao CM
收藏
  |  
浏览/下载:66/4
  |  
提交时间:2011/07/05
CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION
GALLIUM NITRIDE
STRESSES
LAYERS
HETEROSTRUCTURE
DEPOSITION
CONSTANTS
MECHANISM
SAPPHIRE
STRAIN
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
收藏
  |  
浏览/下载:118/2
  |  
提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
收藏
  |  
浏览/下载:80/4
  |  
提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace