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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2016 [2]
2015 [1]
2006 [1]
学科主题
光电子学 [4]
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XPS study of impurities in Si-doped AlN film
期刊论文
surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. J. Zhao
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
L. C. Le
;
W. Liu
;
X.G. He
;
X. J. Li
;
X Li
;
S. T Liu
;
H. Yang
;
J. P. Liu
;
L. Q. Zhang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2017/03/10
The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes
期刊论文
aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 035124
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
J. Yang
;
X. Li
;
L. C. Le
;
X. G. He
;
W. Liu
;
X. J. Li
;
F. Liang
;
B. S. Zhang
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2017/03/10
Optical and structural characteristics of high indium content InGaN/GaN multi-quantum wells with varying GaN cap layer thickness
期刊论文
journal of applied physics, 2015, 卷号: 117, 页码: 055709
J. Yang
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
L. C. Le
;
X. J. Li
;
X. G. He
;
J. P. Liu
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2016/03/23
High-performance 1.55 mu m low-temperature-grown GaAs resonant-cavity-enhanced photodetector
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 13, 页码: art.no.131104
Han Q (Han Q.)
;
Niu ZC (Niu Z. C.)
;
Peng LH (Peng L. H.)
;
Ni HQ (Ni H. Q.)
;
Yang XH (Yang X. H.)
;
Du Y (Du Y.)
;
Zhao H (Zhao H.)
;
Wu RH (Wu R. H.)
;
Wang QM (Wang Q. M.)
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/04/11
HIGH-SPEED
CARRIER DYNAMICS
M OPERATION
1.55-MU-M
POWER
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