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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Comprehensive understanding of the effect of electric dipole at high-k/SiO2 interface on the flatband voltage shift in metal-oxide-semiconductor device 外文期刊 2010 作者:  Han, K;  Wang, WW;  Ma, XL;  Chen, DP;  Zhang, J 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/26 Work Function  Gate   Effect of Al-diffusion-induced positive flatband voltage shift on the electrical characteristics of Al-incorporated high-k metal-oxide-semiconductor field-effective transistor 外文期刊 2009 作者:  Toriumi, A;  Ota, H;  Nabatame, T;  Mizubayashi, W;  Akiyama, K 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26 Technology   Role of interface dipole in metal gate/high-k effective work function modulation by aluminum incorporation 外文期刊 2009 作者:  Yan, L;  Zhang, XW;  Xiao, ZS;  Chu, PK;  Wang, WW 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/26