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半导体研究所 [20]
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期刊论文 [20]
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光电子学 [20]
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学科主题:光电子学
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Carrier capture by threading dislocations in (In,Ga)N/GaN heteroepitaxial layers
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 81, 期号: 12, 页码: art. no. 125314
作者:
Wang H
;
Wang H
;
Yang
;
Jiang DS
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浏览/下载:121/5
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提交时间:2010/04/28
GAN
ALLOYS
Stable multiplication gain in GaN p-i-n avalanche photodiodes with large device area
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015108
作者:
Wang H
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:168/40
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提交时间:2010/03/08
SURFACE-MORPHOLOGY
DETECTORS
GROWTH
Suppression of indium droplet formation by adding CCl4 during metalorganic chemical vapor deposition growth of InN films
期刊论文
semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: art. no. 075004
作者:
Wang H
;
Yang H
;
Yang H
;
Zhao DG
;
Wang YT
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浏览/下载:47/1
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提交时间:2010/03/08
ELECTRON-TRANSPORT
PHASE EPITAXY
NITRIDE INN
BAND-GAP
High-temperature AlN interlayer for crack-free AlGaN growth on GaN
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: art. no. 043516
Sun, Q
;
Wang, JT
;
Wang, H
;
Jin, RQ
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Zhao, DG
;
Yang, H
;
Zhou, SQ
;
Wu, MF
;
Smeets, D
;
Vantomme, A
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2010/03/08
STRESS
SI(111)
REDUCTION
THICKNESS
Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: art. no. 135403
Wang, H
;
Jiang, DS
;
Wang, LL
;
Sun, X
;
Liu, WB
;
Zhao, DG
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Wang, YT
;
Zhang, SM
;
Yang, H
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浏览/下载:53/1
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAN FILMS
DISLOCATION SCATTERING
LAYER THICKNESS
INDIUM NITRIDE
BAND-GAP
VACANCIES
The effect of growth temperature on structural quality of GaN/AlN quantum wells by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: art. no. 105106
Ma, ZF
;
Zhao, DG
;
Wang, YT
;
Jiang, DS
;
Zhang, SM
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Sun, BJ
;
Yang, H
;
Liang, JW
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浏览/下载:51/3
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提交时间:2010/03/08
INTERSUBBAND ABSORPTION
MU-M
ALGAN
GAN
INTERLAYERS
MOVPE
ALN
Distinct two dimensional lateral ordering of self-assembled quantum dots
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 6, 页码: 1952-1954
作者:
Ma WQ
;
Jiang DS
;
Chen LH
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浏览/下载:50/3
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提交时间:2010/03/08
lateral ordering
Depth dependence of structural quality in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 2, 页码: 516-519
作者:
Wang H
;
Wang YT
;
Wang LL
;
Yang H
;
Wang H
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/03/29
X-ray diffraction
Enhanced infrared absorption of spatially ordered quantum dot arrays
期刊论文
infrared physics & technology, 2007, 卷号: 50, 期号: 2-3, 页码: 162-165
作者:
Jiang DS
;
Chen LH
;
Ma WQ
收藏
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/03/29
quantum dots
Self-organized hexagonal ordering of quantum dot arrays
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 23, 页码: 5765-5768
Ma WQ (Ma W. Q.)
;
Sun YW (Sun Y. W.)
;
Yang XJ (Yang X. J.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Chen LH (Chen L. H.)
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/04/11
SURFACE
GROWTH
SUPERLATTICES
ISLANDS
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