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浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 A new way of uniform splitting of the optical power by directional coupling between the photonic crystal waveguides 期刊论文 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 2, 页码: 1014-1019 Zhu GX; Yu TB; Chen SW; Shi Z; Hu SJ; Lai ZQ; Liao QH; Huang YZ 收藏  |  浏览/下载：235/43  |  提交时间：2010/03/08 photonic crystal waveguide  directional coupler  beam-splitter  uniform energy distribution   High uniformity of self-organized inas quantum wires on inalas buffers grown on misoriented inp(001) 期刊论文 Applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 12, 页码: 3 作者:  Wang, YL;  Jin, P;  Ye, XL;  Zhang, CL;  Shi, GX 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 High uniformity of self-organized InAs quantum wires on InAlAs buffers grown on misoriented InP(001) 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 12, 页码: art.no.123104 作者:  Ye XL;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：76/0  |  提交时间：2010/04/11 NANOWIRES  THRESHOLD  WELLS  INP   Cleaved-edge overgrowth of aligned inas islands on gaas(110) 期刊论文 Nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 11, 页码: 2661-2664 作者:  Cui, CX;  Chen, YH;  Zhao, C;  Jin, P;  Shi, GX 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 A novel method for positioning of inas islands on gaas(110) 期刊论文 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 537-544 作者:  Cui, CX;  Chen, YH;  Zhang, CL;  Jin, P;  Shi, GX 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas island  Gaas (110)  Cleaved edge overgrowth  Ingaas/gaas superlattice  Mbe   The effect of a combined inalas and gaas strained buffer layer on the structure and optical property of inas quantum dots 期刊论文 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 276, 期号: 1-2, 页码: 77-82 作者:  Shi, GX;  Xu, B;  Jin, P;  Ye, XL;  Wang, YL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Optical properties  Quantum dots  Molecular beam epitaxy  Semiconductors   A novel method for positioning of InAs islands on GaAs(110) 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 537-544 作者:  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：150/42  |  提交时间：2010/03/17 InAs island   The structural and photoluminescence character of InAs quantum dots grown on a combined InAlAs and GaAs strained buffer 期刊论文 pricm 5: the fifth pacific rim international conference on advanced materials and processing, 2005, 卷号: pts 1-5, 期号: 475-479, 页码: 1791-1794 Shi, GX; Xu, B; Jin, P; Ye, XL; Cui, CX; Zhang, CL; Wu, J; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/17 quantum dots  strain buffer layer  InAs  photoluminescence  WELL  LASER  LAYER   The effect of a combined InAlAs and GaAs strained buffer layer on the structure and optical property of InAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 276, 期号: 1-2, 页码: 77-82 作者:  Jin P;  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/03/17 optical properties   Cleaved-edge overgrowth of aligned InAs islands on GaAs(110) 期刊论文 nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 11, 页码: 2661-2664 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：130/28  |  提交时间：2010/03/17 QUANTUM DOTS