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半导体研究所 [18]
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期刊论文 [17]
会议论文 [1]
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2008 [1]
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2006 [8]
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学科主题
光电子学 [18]
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学科主题:光电子学
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The effects of sapphire nitridation on GaN growth by metalorganic chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 127306
Le LC (Le Ling-Cong)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Wu LL (Wu Liang-Liang)
;
Deng Y (Deng Yi)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Zhang BS (Zhang Bao-Shun)
;
Yang H (Yang Hui)
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/02/22
Relationship between the growth rate and Al incorporation of AlGaN by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 3, 页码: 748-750
作者:
Yang H
;
Jiang DS
;
Le LC
;
Zhang SM
;
Wu LL
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浏览/下载:46/3
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提交时间:2011/07/05
Nitride materials
Crystal growth
Composition fluctuations
X-ray diffraction
LAYER
External Electric Field Manipulations on Structural Phase Transition of Vanadium Dioxide Nanoparticles and Its Application in Field Effect Transistor
期刊论文
journal of physical chemistry c, 2011, 卷号: 115, 期号: 47, 页码: 23558-23563
Li WW (Li W. W.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Liang JR (Liang J. R.)
;
Hu ZG (Hu Z. G.)
;
Liu J (Liu J.)
;
Chen HD (Chen H. D.)
;
Chu JH (Chu J. H.)
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/02/21
Room-Temperature Continuous-Wave Operation of InGaN-Based Blue-Violet Laser Diodes with a Lifetime of 15.6 Hours
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: art. no. 114215
Zeng C (Zeng Chang)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Ji L (Ji Lian)
;
Wang HB (Wang Huai-Bing)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Cao Q (Cao Qing)
;
Chong M (Chong Ming)
;
Duan LH (Duan Li-Hong)
;
Wang H (Wang Hai)
;
Shi YS (Shi Yong-Sheng)
;
Liu SY (Liu Su-Ying)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Chen LH (Chen Liang-Hui)
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/12/05
Effects of AlGaN layer parameter on ultraviolet response of n(+)-GaN/i-AlxGa1 (-) N-x/n(+)-GaN structure ultraviolet-infrared photodetector
期刊论文
acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 12, 页码: 8903-8909
作者:
Zhu JJ
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Deng Y
;
Wu LL
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浏览/下载:54/2
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提交时间:2011/07/05
GaN
ultraviolet and infrared photodetector
quantum efficiency
SOLAR-BLIND
The effect of growth temperature on structural quality of GaN/AlN quantum wells by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: art. no. 105106
Ma, ZF
;
Zhao, DG
;
Wang, YT
;
Jiang, DS
;
Zhang, SM
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Sun, BJ
;
Yang, H
;
Liang, JW
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浏览/下载:51/3
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提交时间:2010/03/08
INTERSUBBAND ABSORPTION
MU-M
ALGAN
GAN
INTERLAYERS
MOVPE
ALN
Does an enhanced yellow luminescence imply a reduction of electron mobility in n-type GaN?
期刊论文
journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 11, 页码: art. no. 113521
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
;
Liang, JW
;
Yang, H
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浏览/下载:51/5
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
X-RAY-DIFFRACTION
MG-DOPED GAN
UNDOPED GAN
PHOTOLUMINESCENCE BANDS
THREADING DISLOCATIONS
POSITRON-ANNIHILATION
GROWTH STOICHIOMETRY
GALLIUM NITRIDE
Influence of defects in n(-)-GaN layer on the responsivity of Schottky barrier ultraviolet photodetectors
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 6, 页码: art.no.062106
作者:
Li XY
;
Jiang DS
;
Yang H
;
Zhu JJ
;
Zhang SM
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
The influence of V/III ratio in the initial growth stage on the properties of GaN epilayer deposited on low temperature AlN buffer layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 303, 期号: 2, 页码: 414-418
作者:
Zhang SM
;
Yang H
;
Zhu JJ
;
Jiang DS
;
Yang H
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/03/29
V/III ratio
Thermal lensing effect in ridge structure InGaN multiple quantum well laser diodes
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 4, 页码: art.no.046101
Li DY (Li D. Y.)
;
Huang YZ (Huang Y. Z.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Ye XJ (Ye X. J.)
;
Chong M (Chong M.)
;
Chen LH (Chen L. H.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/04/11
LINEWIDTH ENHANCEMENT FACTOR
WAVE-GUIDE LASER
GAN SUBSTRATE
INDEX
TEMPERATURE
GAIN
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