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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 COMPOUNDTREATINGAMYOTROPHICLATERALSCLEROSISANDFRONTOTEMPORALDEMENTIAANDAPPLICATIONTHEREOF 专利 申请日期: 2017-07-06, 公开日期: 2017-07-06 作者:  XU,Shunliang许顺良,JIN,Peng金鹏 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/04 Preparing multistage pore zeolite, comprises e.g. taking silicon source, organic template agent, sodium hydroxide, aluminum source, surfactant and water, mixing uniformly and microwaving and auxiliary crystallizing the obtained solution. 专利 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2012-07-04 作者:  HU H GUO X FANG C PENG S JIN L LIU 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/18 Forming indium nitride (InN) and indium gallium nitride (InGaN) quantum dots grown by metal-organic-vapor-phase-epitaxy (MOCVD) 专利 专利号: US6645885, 申请日期: 2003-11-11, 公开日期: 2003-11-11 作者:  CHUA, SOO JIN;  LI, PENG;  HAO, MAOSHENG;  ZHANG, JI 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package 专利 专利号: US6480389, 申请日期: 2002-11-12, 公开日期: 2002-11-12 作者:  SHIE, JIN-SHOWN;  YEN, CHIH-YUAN;  HUNG, CHIEN-CHEN;  PENG, MEI-HSUEH 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 GaN single-crystal substrate, nitride type semiconductor epitaxial substrate, nitride type semiconductor device, and methods of making the same 专利 专利号: US20030209185A1, 公开日期: 2003-11-13 作者:  UENO, MASAKI;  TAKASUKA, EIRYO;  CHUA, SOO-JIN;  CHEN, PENG 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26