×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [21]
内容类型
期刊论文 [16]
会议论文 [5]
发表日期
2006 [6]
2004 [5]
2003 [2]
1998 [2]
1997 [6]
学科主题
半导体材料 [9]
半导体物理 [4]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共21条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Growth of high quality semi-insulating inp single crystal by suppression of compensation defects
期刊论文
Journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 页码: 75-77
作者:
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Duan, ML
;
Sun, WR
;
Yang, ZX
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Indium phosphide
Defect
Semi-insualting
Growth of zno single crystal by chemical vapor transport method
期刊论文
Journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 页码: 4-7
作者:
Zhou, JM
;
Dong, ZY
;
Wei, XC
;
Duan, ML
;
Li, JM
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Zinc oxide
Chemical vapor transport
Single crystal growth
Growth of high quality semi-insulating InP single crystal by suppression of compensation defects
会议论文
3rd asian conference on crystal growth and crystal technology (cgct-3), beijing, peoples r china, oct 16-19, 2005
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Duan, ML
;
Sun, WR
;
Yang, ZX
收藏
  |  
浏览/下载:202/19
  |  
提交时间:2010/03/29
indium phosphide
Growth of ZnO single crystal by chemical vapor transport method
会议论文
3rd asian conference on crystal growth and crystal technology (cgct-3), beijing, peoples r china, oct 16-19, 2005
Zhou, JM
;
Dong, ZY
;
Wei, XC
;
Duan, ML
;
Li, JM
收藏
  |  
浏览/下载:564/45
  |  
提交时间:2010/03/29
zinc oxide
Growth of ZnO single crystal by chemical vapor transport method
期刊论文
journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 40275
作者:
Wei XC
收藏
  |  
浏览/下载:59/0
  |  
提交时间:2010/04/11
zinc oxide
chemical vapor transport
single crystal growth
HYDROTHERMAL METHOD
BULK ZNO
IMPURITIES
DEVICES
Growth of high quality semi-insulating InP single crystal by suppression of compensation defects
期刊论文
journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 75-77
Zhao YW
;
Dong ZY
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Yang ZX
收藏
  |  
浏览/下载:37/0
  |  
提交时间:2010/04/11
indium phosphide
defect
semi-insualting
STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY
CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY
SEMI-INSULATING INP
DEEP-LEVEL DEFECTS
FE
Annealing ambient controlled deep defect formation in inp
期刊论文
European physical journal-applied physics, 2004, 卷号: 27, 期号: 1-3, 页码: 167-169
作者:
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Duan, ML
;
Sun, WR
;
Zeng, YP
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Deep level defects in high temperature annealed inp
期刊论文
Science in china series e-engineering & materials science, 2004, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 320-326
作者:
Dong, ZY
;
Zhao, YM
;
Zeng, YP
;
Duan, ML
;
Lin, LY
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Inp
Defects
Annealing ambience
Annealing ambient controlled deep defect formation in InP
会议论文
10th international conference on defects - recognition, imaging and physics in semiconductors (drip 10), batz sur mer, france, sep 29-oct 02, 2003
Zhao YW
;
Dong ZY
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Zeng YP
;
Sun NF
;
Sun TN
收藏
  |  
浏览/下载:20/1
  |  
提交时间:2010/10/29
FE-DOPED INP
SEMIINSULATING INP
POINT-DEFECTS
PRESSURE
WAFERS
TRAPS
Annealing ambient controlled deep defect formation in InP
期刊论文
european physical journal-applied physics, 2004, 卷号: 27, 期号: 1-3, 页码: 167-169
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Duan, ML
;
Sun, WR
;
Zeng, YP
;
Sun, NF
;
Sun, TN
收藏
  |  
浏览/下载:360/63
  |  
提交时间:2010/03/09
FE-DOPED INP
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace