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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Suppression of unintentional carbon incorporation in AlGaN-based near-ultraviolet light-emitting diode grown on Si 期刊论文 Journal of Nanophotonics, 2018 作者:  Liu, Legong;  Feng, Meixin(冯美鑫);  Liu, Jianxun;  Sun, Qian(孙钱);  Sun, Xiujian(孙秀建) 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2019/03/27 Room-temperature electrically pumped InGaN-based microdisk laser grown on Si 期刊论文 OPTICS EXPRESS, 2018 作者:  Zhou, Yu(周宇);  Liu, Jianping(刘建平);  Feng, Meixin(冯美鑫);  Zhang, Liqun(张立群);  Sun, Xiaojuan 收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2019/03/27 Room-temperature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum well blue laser diode directly grown on Si 期刊论文 LIGHT-SCIENCE & APPLICATIONS, 2018 作者:  Li, Zengcheng(李增成);  Li, Deyao(李德尧);  Zhang, Shuming(张书明);  Yang, Hui(杨辉);  Ikeda, Masao 收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2019/03/27 Room-Temperature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Laser Grown on Si 期刊论文 ACS PHOTONICS, 2018 作者:  Li, Dabing;  Yang, Hui(杨辉);  Zheng, Xinhe;  Ikeda, Masao;  Wang, Huaibing(王怀兵) 收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2019/03/27 A Study of Efficiency Droop Phenomenon in GaN-Based Laser Diodes before Lasing 期刊论文 MATERIALS, 2017 作者:  Feng, Mei-Xin（冯美鑫）;  Sun, Qian（孙钱）;  Liu, Jian-Ping（刘建平）;  Li, Zeng-Cheng（李增成）;  Zhou, Yu（周宇） 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/02/05 High-power AlGaN-based near-ultraviolet light-emitting diodes grown on Si(111) 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2017 作者:  Li, Zengcheng（李增成）;  Liu, Legong;  Huang, Yingnan;  Sun, Qian（孙钱）;  Feng, Meixin（冯美鑫） 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/02/05 Room-temperature continuous-wave electrically injected InGaN-based laser directly grown on Si 期刊论文 NATURE PHOTONICS, 2016, 卷号: 10, 期号: 9 作者:  Sun, Y(孙逸);  Zhou, K;  Sun, Q(孙钱);  Liu, JP(刘建平);  Feng, MX(冯美鑫) 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2017/03/11