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半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [2]
专利 [1]
发表日期
2009 [1]
2008 [2]
学科主题
半导体材料 [1]
微电子学 [1]
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专题:半导体研究所
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一种近红外单光子探测器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998, 2010-10-15
曹延名
;
吴 孟
;
杨富华
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2010/03/19
A Planar InGaAs/InP Geiger Mode Avalanche Photodiode with Cascade Edge Breakdown Suppression
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1686-1691
作者:
Wu Meng
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/11/23
InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管仿真设计
期刊论文
激光与光电子学进展, 2008, 卷号: 45, 期号: 9, 页码: 56-60
曹延名
;
吴孟
;
杨富华
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/23
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