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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    发表日期：2009     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Ordered Zinc Antimonate Nanoisland Attachment and Morphology Control of ZnO Nanobelts by Sb Doping 期刊论文 journal of physical chemistry c, 2009, 卷号: 113, 期号: 22, 页码: 9638-9643 Cheng BC; Tian BX; Sun W; Xiao YH; Lei SJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：92/0  |  提交时间：2010/03/08 DOPED ZNO  QUANTUM DOTS  PHOTOLUMINESCENCE  GROWTH  OXIDES  NANOSTRUCTURES  SEMICONDUCTORS  RECOMBINATION  NANOPARTICLES  NANOCRYSTALS   Fabrication of high quality two-dimensional photonic crystal mask layer patterns 期刊论文 optical and quantum electronics, 2009, 卷号: 41, 期号: 3, 页码: 151-158 Peng, YS (Peng, Yin-Sheng); Xu, B (Xu, Bo); Ye, XL (Ye, Xiao-Ling); Niu, JB (Niu, Jie-Bin); Jia, R (Jia, Rui); Wang, ZG (Wang, Zhan-Guo) 收藏  |  浏览/下载：405/97  |  提交时间：2010/03/08 Photonic crystal   Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301 Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：193/43  |  提交时间：2010/03/08 CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  AL-CONTENT  ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES  HEMT STRUCTURES  PHASE EPITAXY  SAPPHIRE  GAS  DENSITIES   An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文 solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Zhang ML;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：129/30  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device   Structural and Magnetic Properties of Sm Implanted GaN 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: art. no. 077502 作者:  Zhang ML 收藏  |  浏览/下载：59/1  |  提交时间：2010/03/08