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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
会议论文 [3]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2008 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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内容类型:会议论文
学科主题:半导体材料
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Influence of AlGaN Buffer Growth Temperature on GaN Epilayer based on Si(111) Substrate
会议论文
3rd international photonics and optoelectronics meetings, wuhan, peoples r china, nov 02-05, 2010
Wei M (Wei Meng)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Pan X (Pan Xu)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Zhang ML (Zhang Minglan)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2011/07/26
Dependence of transport properties in tunnel junction on boron doping
会议论文
23rd international conference on amorphous and nanocrystalline semiconductors (icans23), utrecht, netherlands, aug 23-28, 2009
Shi MJ
;
Zeng XB
;
Liu SY
;
Peng WB
;
Xiao HB
;
Liao XB
;
Wang ZG
;
Kong GL
收藏
  |  
浏览/下载:43/2
  |  
提交时间:2011/07/15
AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
作者:
Hou QF
;
Zhang ML
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提交时间:2010/03/09
ALGAN/GAN HEMTS
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