Dependence of transport properties in tunnel junction on boron doping | |
Shi MJ ; Zeng XB ; Liu SY ; Peng WB ; Xiao HB ; Liao XB ; Wang ZG ; Kong GL | |
2010 | |
会议名称 | 23rd international conference on amorphous and nanocrystalline semiconductors (icans23) |
会议日期 | aug 23-28, 2009 |
会议地点 | utrecht, netherlands |
收录类别 | CPCI(ISTP) |
会议录 | physica status solidi c-current topics in solid state physics vol 7 no 3-4, 7 (3-4): 1109-1111 2010 |
学科主题 | 半导体材料 |
语种 | 英语 |
内容类型 | 会议论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21415] |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Shi MJ,Zeng XB,Liu SY,et al. Dependence of transport properties in tunnel junction on boron doping[C]. 见:23rd international conference on amorphous and nanocrystalline semiconductors (icans23). utrecht, netherlands. aug 23-28, 2009. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论