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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    发表日期：2011     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A Sampled Grating DBR Laser Monolithically Integrated by Using SOAs with 22 mW Output Power and 51 ITU 100 GHz Channels over 43 nm 期刊论文 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.24212 作者:  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：48/6  |  提交时间：2011/07/05 TUNING RANGE  PERFORMANCE  DESIGN   An intermediate-band-assisted avalanche multiplication in InAs/InGaAs quantum dots-in-well infrared photodetector 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 7, 页码: article no.73504 Lin L; Zhen HL; Zhou XH; Li N; Lu W; Liu FQ 收藏  |  浏览/下载：40/5  |  提交时间：2011/07/05 DETECTORS  RESPONSIVITY   Theoretical study of polarization-doped GaN-based light-emitting diodes 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: 101110 Zhang, L.; Ding, K.; Liu, N.X.; Wei, T.B.; Ji, X.L.; Ma, P.; Yan, J.C.; Wang, J.X.; Zeng, Y.P.; Li, J.M. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/06/14 Electron injection  Gallium alloys  Gallium nitride  Light  Light emission  Organic light emitting diodes(OLED)  Polarization   Spin dependence of electron effective masses in InGaAs/InAlAs quantum well 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 6, 页码: 63707 Wei LM; Gao KH; Liu XZ; Zhou WZ; Cui LJ; Zeng YP; Yu G; Yang R; Lin T; Shang LY; Guo SL; Dai N; Chu JH; Austing DG 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/01/06 2-DIMENSIONAL ELECTRONS  BAND NONPARABOLICITY  FIELD  HETEROSTRUCTURES  SUBBAND  GAS  MAGNETOTRANSPORT