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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of growth temperature on intrinsic stress distribution in aluminum nitride grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 MATERIALS EXPRESS, 2016, 卷号: 6, 期号: 4 作者:  Liu, XH(刘雪华);  Zhang, JC(张纪才);  Huang, J(黄俊);  Yang, MM;  Su, XJ(苏旭军) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11 Stress Induced Microstructure Evolution of AlN: Er Film at Different Annealing Temperature 期刊论文 JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2016, 卷号: 31, 期号: 3 作者:  Yang, MM(阳明明);  Mo, YJ;  Wang, XD;  Zeng, XH(曾雄辉);  Liu, XH(刘雪华) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/11 Spatial distribution of crystalline quality in N-type GaN grown on patterned sapphire substrate 期刊论文 OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2016, 卷号: 6, 期号: 6 作者:  Jiang, T;  Xu, SR;  Zhang, JC;  Li, PX;  Huang, J(黄俊) 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/03/11 AlN thin film grown on different substrates by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2016, 卷号: 436 作者:  Sun, MS(孙茂松);  Zhang, JC(张纪才);  Huang, J(黄俊);  Wang, JF(王建峰);  Xu, K(徐科) 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/03/11 Morphological dependent Indium incorporation in InGaN/GaN multiple quantum wells structure grown on 4 degrees misoriented sapphire substrate 期刊论文 AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3 作者:  Jiang, T;  Xu, SR;  Zhang, JC;  Li, PX;  Huang, J(黄俊) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11 Fabrication of crack-free AlN film on sapphire by hydride vapor phase epitaxy using an in situ etching method 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 4 作者:  Liu, XH(刘雪华);  Zhang, JC(张纪才);  Su, XJ(苏旭军);  Huang, J(黄俊);  Zheng, SN(郑树楠) 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2017/03/11 Quasi-transverse optical phonon mode in self-generated semipolar AlN grains embedded in c-oriented AlN matrix grown on sapphire using hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 119, 期号: 20 作者:  Hu, YY(胡匀匀);  Zhou, TF(周桃飞);  Zheng, SN(郑树楠);  Liu, XH(刘雪华);  Zhao, JJ 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2017/03/11 Nucleation and growth of (10(1)over-bar1) semi-polar AlN on (0001) AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy 期刊论文 SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 卷号: 6 作者:  Liu, T(刘婷);  Zhang, JC(张纪才);  Su, XJ(苏旭军);  Huang, J(黄俊);  Wang, JF(王建峰) 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2017/03/11 Synthesis, characterization and photocurrent behavior of asymmetrical heterotwistacenes 期刊论文 DYES AND PIGMENTS, 2015, 卷号: 115, 页码: 6 作者:  Liu, ZY;  Wang, WY;  Xu, WW;  Chen, H;  Zhang, XM 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/12/31 Synthesis  Single crystal  Asymmetrical  Heterotwistacene  Physical property  Photocurrent   Evolution of the surface morphology of AlN epitaxial film by HVPE 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 409, 期号: 0, 页码: 100-104 作者:  Gong, XJ(弓晓晶);  Xu, K(徐科);  Huang, J(黄俊);  Liu, T;  Ren, GQ(任国强) 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2015/01/16 Surface morphology  AlN  AFM  HVPE