×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
微电子研究所 [46]
内容类型
期刊论文 [31]
外文期刊 [9]
会议论文 [6]
发表日期
2018 [9]
2017 [10]
2016 [8]
2015 [5]
2014 [2]
2013 [2]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共46条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:微电子研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Investigation of dipole origin at high k dielectric hetero-junction interface
期刊论文
49th IEEE Semiconductor, 2018
作者:
Ye TC(叶甜春)
;
Wang WW(王文武)
;
Zhou LX(周丽星)
;
Wang XL(王晓磊)
;
Xiang JJ(项金娟)
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2019/05/20
Understanding dipole formation at dielectric/dielectric hetero-interface
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018
作者:
Wang YR(王艳蓉)
;
Xiang JJ(项金娟)
;
Yang H(杨红)
;
Jing Zhang
;
Zhao C(赵超)
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2019/05/20
Bipolar Analog Memristors as Artificial Synapses for Neuromorphic Computing
期刊论文
Materials, 2018
作者:
Wang R(王睿)
;
Shi T(时拓)
;
Zhang XM(张续猛)
;
Wang W(王伟)
;
Wei JS(魏劲松)
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2019/04/18
Identification of interfacial defects in a Ge gate stack based on ozone passivation
期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2018
作者:
Wang YR(王艳蓉)
;
Xiang JJ(项金娟)
;
Yang H(杨红)
;
Zhang J(张静)
;
Zhao C(赵超)
收藏
  |  
浏览/下载:37/0
  |  
提交时间:2019/05/20
Comprehensive investigation of the interfacial charges and dipole in GeOx/Al2O3 gate
期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2018
作者:
Wang YR(王艳蓉)
;
Xiang JJ(项金娟)
;
Yang H(杨红)
;
Zhang J(张静)
;
Zhao C(赵超)
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2019/05/20
Effects of Capping Electrode on Ferroelectric Properties of Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018
作者:
Cao RR(曹荣荣)
;
Wang Y(王艳)
;
Zhao SJ(赵盛杰)
;
Yang Y(杨阳)
;
Zhao XL(赵晓龙)
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2019/04/10
Band-Edge Work Function Obtained by Plasma Doping TiN Metal Gate for nMOS Device Application
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICE, 2018
作者:
Shan Tang
;
Tao GL(陶桂龙)
;
Li JF(李俊峰)
;
Zhu HL(朱慧珑)
;
Wang XL(王晓磊)
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2019/05/20
Breaking the Current-Retention Dilemma in Cation-Based Resistive Switching Devices Utilizing Graphene with Controlled Defects
期刊论文
Advanced Materials, 2018
作者:
Zhao XL(赵晓龙)
;
Liu Q(刘琦)
;
Liu S(刘森)
;
Niu JB(牛洁斌)
;
Zhang XM(张续猛)
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2019/04/10
An Artificial Neuron Based on a Threshold Switching Memristor
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018
作者:
Zhang XM(张续猛)
;
Wang W(王伟)
;
Liu Q(刘琦)
;
Zhao XL(赵晓龙)
;
Wei JS(魏劲松)
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2019/04/10
Mobility Degradation by Remote Coulomb Scattering and Distribution of Charge and Dipole in Al2O3/GeOx Gate Stacks of Ge Based MOSFET
会议论文
作者:
Xiang JJ(项金娟)
;
Zhou LX(周丽星)
;
Wang XL(王晓磊)
;
Zhao C(赵超)
;
Ye TC(叶甜春)
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2018/07/26
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace