|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory 期刊论文
Chinese physics B, 2018
作者: Bi JS(毕津顺) ; Xi K(习凯); Li B(李博); Wang HB(王海滨); Ji LL(季兰龙)
  收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2019/04/12 |
| Bipolar Analog Memristors as Artificial Synapses for Neuromorphic Computing 期刊论文
Materials, 2018
作者: Wang R(王睿); Shi T(时拓); Zhang XM(张续猛); Wang W(王伟); Wei JS(魏劲松)
收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2019/04/18 |
| A Single Event Upset Tolerant Latch Design 会议论文
作者: Haibin Wang; Xixi Dai; Yangsheng Wang; Issam Nofal; Li Cai
收藏 | 浏览/下载：35/0 | 提交时间：2019/05/13 |
| Total Ionization Dose Effects on Charge Storage Capability of Al2O3/HfO2/Al2O3 (AHA)-based Charge Trapping Memory (CTM) Cell 期刊论文
Chinese Physics Letters, 2018
作者: Xu YN(徐彦楠); Bi JS(毕津顺); Xu GB(许高博); Li B(李博); Xi K(习凯)
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2019/04/18 |
| Total Ionizing Dose Effects of 55-nm Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Charge 期刊论文
CHIN. PHYS. LETT., 2018
作者: Bi JS(毕津顺); Xu YN(徐彦楠); Li B(李博); Xi K(习凯); Wang HB(王海滨)
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2019/04/12 |
| An Artificial Neuron Based on a Threshold Switching Memristor 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018
作者: Zhang XM(张续猛); Wang W(王伟); Liu Q(刘琦); Zhao XL(赵晓龙); Wei JS(魏劲松)
收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2019/04/10 |
| The TID effects of RRAM based oxide material 会议论文
作者: Wang Y(王艳); Liu M(刘明); Long SB(龙世兵); Lv HB(吕杭炳); Liu Q(刘琦)
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2016/06/14 |
| Effects of Si, Ge and Ar ion-implantation on EL from Au/Si-rich SiO2/p-Si structure 外文期刊
2001
作者: Chen, Y; Ran, GZ; Sun, YK; Wang, YB; Fu, JS
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2010/11/26
|
