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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane gan revealed by selective etching 期刊论文 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145 作者:  Wei, T. B.;  Yang, J. K.;  Hu, Q.;  Duan, R. F.;  Huo, Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Cl  Pl  Stacking fault  Hvpe  Gan  Nonpolar   Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar gan on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157 作者:  Wei, T. B.;  Hu, Q.;  Duan, R. F.;  Wei, X. C.;  Huo, Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Hrxrd  Pl  Stacking fault  Hvpe  Gan  Semipolar   Hillocks and hexagonal pits in a thick film grown by hvpe 期刊论文 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1556-1559 作者:  Wei, T. B.;  Duan, R. F.;  Wang, J. X.;  Li, J. M.;  Huo, Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Hvpe  Hillocks  Pits  Cathodoluminescence   Characterization of free-standing gan substrate grown through hydride vapor phase epitaxy with a tin interlayer 期刊论文 Applied surface science, 2007, 卷号: 253, 期号: 18, 页码: 7423-7428 作者:  Wei, T. B.;  Duan, R. F.;  Wang, J. X.;  Li, J. M.;  Huo, Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Hvpe  Cathodoluminescence  Micro-raman scattering   Spatial variation of optical and structural properties of elo gan directly grown on patterned sapphire by hvpe 期刊论文 Journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 2881-2885 作者:  Wei, T. B.;  Duan, R. F.;  Wang, J. X.;  Li, J. M.;  Huo, Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Spatial variation of optical and structural properties of ELO GaN directly grown on patterned sapphire by HVPE 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 2881-2885 作者:  Wei TB;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/29 VAPOR-PHASE EPITAXY   Characterization of free-standing GaN substrate grown through hydride vapor phase epitaxy with a TiN interlayer 期刊论文 applied surface science, 2007, 卷号: 253, 期号: 18, 页码: 7423-7428 作者:  Duan RF;  Wei TB 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/03/29 GaN   Synthesis of high quality n-type cds nanobelts and their applications in nanodevices 期刊论文 Applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 20, 页码: 3 作者:  Ma, R. M.;  Dai, L.;  Huo, H. B.;  Yang, W. Q.;  Qin, G. G. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Synthesis of high quality n-type CdS nanobelts and their applications in nanodevices 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 20, 页码: art.no.203120 Ma RM (Ma R. M.); Dai L (Dai L.); Huo HB (Huo H. B.); Yang WQ (Yang W. Q.); Qin GG (Qin G. G.); Tan PH (Tan P. H.); Huang CH (Huang C. H.); Zheng J (Zheng J.) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/04/11 WURTZITE ZNS  NANORIBBONS  LUMINESCENCE  NANOWIRES  GROWTH