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科研机构
微电子研究所 [5]
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期刊论文 [4]
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2016 [1]
2015 [1]
2014 [2]
2013 [1]
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The radiation hardness of the nitrogen-fluorine implanted buried oxide layer in silicon-on-insulator materials against higher total dose irradiation.
期刊论文
SCIENCE CHINA Materials, 2016
作者:
Liu ZL(刘忠立)
;
Han ZS(韩郑生)
;
Luo JJ(罗家俊)
;
Zheng ZS(郑中山)
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2017/05/08
Low-temperature post-deposition annealing investigation for 3D
期刊论文
Applied Physics A Materials Science & Precessing, 2015
作者:
Liu M(刘明)
;
Ye TC(叶甜春)
;
Li XK(李新开)
;
Han YL(韩宇龙)
;
Jin L(靳磊)
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2016/06/03
Metal Floating Gate Memory Device with SiO2/HfO2 Dual-layer as Engineered Tunneling Barrier
期刊论文
Electron Device Letters, 2014
作者:
Han YL(韩宇龙)
;
Chen GX(陈国星)
;
Huo ZL(霍宗亮)
;
Jin L(靳磊)
;
Li XK(李新开)
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2015/04/15
Low temperature atomic layer deposited HfO2 for high performance charge trapping flash memory application
期刊论文
semiconductor science and technology, 2014
作者:
Jin L(靳磊)
;
Huo ZL(霍宗亮)
;
Zhao SJ(赵盛杰)
;
Han YL(韩宇龙)
;
Chen GX(陈国星)
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/04/15
Visualization on Charge Distribution Behavior in Thickness-Scalable HfO2 Trapping Layer by In-situ Electron Holography and Kelvin Probe Force Microscopy Technology
会议论文
作者:
Liu M(刘明)
;
Han YL(韩宇龙)
;
Huo ZL(霍宗亮)
;
Li XK(李新开)
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2014/10/22
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