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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2003, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 620-626 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：252/65  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  MOCVD  in situ laser reflectometry  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  IN-SITU  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  FILMS   Metalorganic chemical vapor deposition of GaNAs alloys using different Ga precursors 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 4, 页码: 516-522 Wei X; Wang GH; Zhang GZ; Zhu XP; Ma XY; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：81/2  |  提交时间：2010/08/12 high resolution X-ray diffraction  precursor  metalorganic chemical vapor depositions  gallium compounds  LASER-DIODES  SOLAR-CELLS  BAND-GAP  GAINNAS  DIMETHYLHYDRAZINE  GROWTH  PYROLYSIS  EPITAXY