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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 The effects of rapid thermal annealing on the optical properties of Zn1-xMnxSe epilayer grown by MOCVD on GaAs substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 3-4, 页码: 538-543 作者:  Zhang JY;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  metalorganic chemical vapor deposition  epilayer  semiconducting II-VI materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAP   Growth and photoluminescence of InAlGaN films 会议论文 5th international conference on nitride semiconductors (icns-5), nara, japan, may 25-30, 2003 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：13/2  |  提交时间：2010/10/29 MULTIPLE-QUANTUM WELLS  QUATERNARY ALLOYS  OPTICAL-PROPERTIES   Structural and optical properties of InAlGaN films grown directly on low-temperature buffer layer with (0001)sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 72-77 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  stretched exponential  time-resolved photolummescence  metalorganic vapor phase epitaxy  nitrides  InAlGaN  INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  ALINGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  GAN  DECAY  LUMINESCENCE  SAPPHIRE  DEVICES  SILICON   COMPOSITION DEPTH PROFILES OF OXIDIZED SILICON AND SPUTTERED GAAS FROM ANGLE-RESOLVED X-RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 1988, 卷号: 6, 期号: 5, 页码: 1514-1518 BUSSING TD; HOLLOWAY PH; WANG YX; MOULDER JF; HAMMOND JS 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/15