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Metal Floating Gate Memory Device With SiO2/HfO2 Dual-Layer as Engineered Tunneling Barrier 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 卷号: 35, 期号: 7, 页码: 744-746
作者:  Chen, GX;  Huo, ZL;  Jin, L;  Han, YL;  Li, XK
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