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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Applied     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Comparative study of SOI/Si hybrid substrates fabricated using high-dose and low-dose oxygen implantation 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 37, 期号: 13, 页码: 1732-1735 Dong, YM; Chen, M; Chen, J; Wang, X; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 BURIED OXIDE LAYERS  ION-IMPLANTATION  SILICON  OXIDATION   Synthesis and thermal conductivity measurement of high-integrity ultrathin oxygen-implanted buried oxide layers 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2004, 卷号: 43, 期号: 4B, 页码: 2185-2187 Dong, YM; Chen, J; Chen, M; Wang, X; He, P; Tian, LL; Liu, LT; Li, ZJ 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/24 Dose-energy match for the formation of high-integrity buried oxide layers in low-dose separation-by-implantation-of-oxygen materials 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2002, 卷号: 80, 期号: 5, 页码: 880-882 Chen, M; Wang, X; Chen, J; Liu, XH; Dong, YM; Yu, YH; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/24 SIMOX WAFERS  TEMPERATURE