QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Multidisciplinary     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Enhanced Performance of Phase Change Memory Cell Element by Initial Operation and Non-Cumulative Programming 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 107302-107302 Chen, YF; Song, ZT; Chen, XG; Liu, B; Xu, C; Feng, GM; Wang, LY; Zhong, M; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/03/24 ELECTRODE  FILM   Ge1Sb2Te4 based chalcogenide random access memory array fabricated by 0.18-mu m CMOS technology 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 790-792 Zhang, T; Song, ZT; Feng, GM; Liu, B; Wu, LC; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 THIN-FILMS  PHASE  CRYSTALLIZATION  ALLOYS  DEVICE   Total dose radiation tolerance of phase change memory cell with GeSbTe alloy 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2557-2559 Wu, LC; Liu, B; Song, ZT; Feng, GM; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 AMORPHOUS THIN-FILMS  RANDOM-ACCESS MEMORY  GE2SB2TE5 FILMS  ELECTRICAL-PROPERTIES  NONVOLATILE  GE20TE80-XBIX  IMPLANTATION  TEMPERATURE  TRANSITION   Fabricating master with reactive ion beam etching method 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 1998, 卷号: 15, 期号: 7, 页码: 495-497 Zou, ZQ; Fang, HL; Fu, XD; Chen, GM 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/25