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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：Engineering (provided by Thomson Reuters)     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1140-1143 作者:  蔡志军;  巴维真;  陈朝阳;  崔志明;  丛秀云 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2012/11/29 深能级杂质  费米能级  多数载流子  补偿度   p型单晶硅涂源掺锰新方法 期刊论文 电子元件与材料, 2005, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 21-23 作者:  崔志明;  巴维真;  陈朝阳;  蔡志军;  丛秀云 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/11/29 电子技术  扩散源  补偿度  固相反应  锰硅化物   Zn掺杂n型硅材料的补偿研究 期刊论文 电子元件与材料, 2005, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 24-26 作者:  蔡志军;  巴维真;  陈朝阳;  崔志明;  丛秀云 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/11/29 电子技术  深能级杂质  反型  固溶度  亨利定律  电离