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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effects of post-thermal treatment on quality of SiC grown by PVT method 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 2273 Zhu, LN; Chen, XL; Yang, H; Peng, TH; Ni, DQ; Hu, BQ 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/17 CARBIDE SINGLE-CRYSTALS  SILICON-CARBIDE  SUBLIMATION GROWTH  VAPOR TRANSPORT  DEFECTS  INGOTS   Optical properties of boron-doped Si nanowires 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2004, 卷号: 265, 期号: 1-2, 页码: 94 Zeng, XB; Liao, XB; Wang, B; Dai, ST; Xu, YY; Xiang, XB; Hu, ZH; Diao, HW; Kong, GL 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/09/24 SILICON NANOWIRES  POROUS SILICON  VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE  AMORPHOUS-SILICON  RAMAN  SPECTROSCOPY  NANOSTRUCTURES  EMISSION  GROWTH  FILMS   Heteroepitaxial growth of LaAlO3 films on Si (100) by laser molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2004, 卷号: 271, 期号: 1-2, 页码: 165 Xiang, WF; Lu, HB; Chen, ZH; Lu, XB; He, M; Tian, H; Zhou, YL; Li, CR; Ma, XL 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/17 THIN-FILMS  BUFFER LAYERS  IN-SITU  SRTIO3  SI(100)  DEPOSITION  SILICON  MOCVD   Structural and optical properties of InAlGaN films grown directly on low-temperature buffer layer with (0001)sapphire substrate 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 72 Li, DB; Dong, X; Huang, JS; Liu, XL; Xu, ZY; Wang, XH; Zhang, Z; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/24 INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  ALINGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  GAN  DECAY  LUMINESCENCE  SAPPHIRE  DEVICES  SILICON   The growth morphologies of GaN layer on Si(111) substrate 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 91 Lu, YA; Liu, XL; Lu, DC; Yuan, HR; Hu, GQ; Wang, XH; Wang, ZG; Duan, XF 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/09/23 LIGHT-EMITTING-DIODES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  NUCLEATION LAYERS  BUFFER LAYER  SILICON  SAPPHIRE  NITRIDE  EPITAXY  STRESS  STRAIN   MBE growth and X-ray study of high-quality cubic-GaN on GaAs(001) 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 786 Li, ZQ; Chen, H; Liu, HF; Li, JH; Wan, L; Liu, S; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/09/18 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  STIMULATED-EMISSION  THIN-FILMS  001 GAAS  SILICON  MICROSTRUCTURE  SAPPHIRE