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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2011 [1]
2003 [1]
2002 [1]
2001 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体物理 [5]
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学科主题:半导体物理
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Fabrication and characterization of high performance AlGaN/GaN HEMTs on sapphire with silicon nitride passivation
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 64001
Zhang, Renping
;
Yan, Wei
;
Wang, Xiaoliang
;
Yang, Fuhua
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2012/06/14
Aspect ratio
Current density
Drain current
Electric network analysis
Electric network analyzers
Electron mobility
Fabrication
Gallium nitride
Ohmic contacts
Passivation
Silicon nitride
Silicon wafers
Structural and optical characterization of Zn1-xCdxO thin films deposited by dc reactive magnetron sputtering
期刊论文
chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 942-943
Ma DW
;
Ye ZZ
;
Huang JY
;
Zhao BH
;
Wan SK
;
Sun XH
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:386/2
  |  
提交时间:2010/08/12
PHASE EPITAXIAL-GROWTH
PHOTOLUMINESCENT PROPERTIES
SPRAY-PYROLYSIS
ZNO
MGXZN1-XO
Heteroepitaxial growth of novel SOI material Si/gamma-Al2O3/Si
期刊论文
international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4271-4274
Wang QY
;
Tan LW
;
Wang J
;
Yu YH
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:40/0
  |  
提交时间:2010/08/12
Residual donors and compensation in metalorganic chemical vapor deposition as-grown n-GaN
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6130-6134
Xu XL
;
Liu HT
;
Shi CS
;
Zhao YW
;
Fung S
;
Beling CD
收藏
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浏览/下载:126/15
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提交时间:2010/08/12
LIGHT-EMITTING DIODES
GALLIUM NITRIDE
YELLOW LUMINESCENCE
ELECTRON
PHOTOLUMINESCENCE
EPILAYERS
VACANCIES
INTERFACE
MECHANISM
ENERGY
Wurtzite GaN epitaxial growth on a Si(001) substrate using gamma-Al2O3 as an intermediate layer
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 1, 页码: 109-111
Wang LS
;
Liu XL
;
Zan YD
;
Wang J
;
Wang D
;
Lu DC
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/08/12
SINGLE CRYSTALLINE GAN
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
THIN-FILMS
GALLIUM NITRIDE
001 SILICON
SAPPHIRE
SI
DEPOSITION
ALN
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