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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Fabrication and characterization of high performance AlGaN/GaN HEMTs on sapphire with silicon nitride passivation 期刊论文 journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 64001 Zhang, Renping; Yan, Wei; Wang, Xiaoliang; Yang, Fuhua 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/06/14 Aspect ratio  Current density  Drain current  Electric network analysis  Electric network analyzers  Electron mobility  Fabrication  Gallium nitride  Ohmic contacts  Passivation  Silicon nitride  Silicon wafers   Structural and optical characterization of Zn1-xCdxO thin films deposited by dc reactive magnetron sputtering 期刊论文 chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 942-943 Ma DW; Ye ZZ; Huang JY; Zhao BH; Wan SK; Sun XH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：386/2  |  提交时间：2010/08/12 PHASE EPITAXIAL-GROWTH  PHOTOLUMINESCENT PROPERTIES  SPRAY-PYROLYSIS  ZNO  MGXZN1-XO   Heteroepitaxial growth of novel SOI material Si/gamma-Al2O3/Si 期刊论文 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4271-4274 Wang QY; Tan LW; Wang J; Yu YH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 Residual donors and compensation in metalorganic chemical vapor deposition as-grown n-GaN 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6130-6134 Xu XL; Liu HT; Shi CS; Zhao YW; Fung S; Beling CD 收藏  |  浏览/下载：126/15  |  提交时间：2010/08/12 LIGHT-EMITTING DIODES  GALLIUM NITRIDE  YELLOW LUMINESCENCE  ELECTRON  PHOTOLUMINESCENCE  EPILAYERS  VACANCIES  INTERFACE  MECHANISM  ENERGY   Wurtzite GaN epitaxial growth on a Si(001) substrate using gamma-Al2O3 as an intermediate layer 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 1, 页码: 109-111 Wang LS; Liu XL; Zan YD; Wang J; Wang D; Lu DC; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/08/12 SINGLE CRYSTALLINE GAN  LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  THIN-FILMS  GALLIUM NITRIDE  001 SILICON  SAPPHIRE  SI  DEPOSITION  ALN