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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed "Type-II" GaAsSb/InP DHBTs Using an InGaAsP Ledge Structure 外文期刊 2010 作者:  Jin, Z;  Liu, XY;  Wu, Dx;  Zhou, L;  Chang, HD 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/26 Inp/gaassb/inp Dhbts  Graded-base  Ghz  Bvceo   Surface-recombination-free InGaAs/InP HBTs and the base contact recombination 外文期刊 2008 作者:  Jin, Z;  Liu, X;  Prost, W;  Tegude, FJ 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26 Heterojunction Bipolar-transistors  Graded-base  Sinx Passivation  Npn   Surface-induced large side-gating phenomenon in GaAs quantum wire transistors and its removal by surface passivation using Si interface control layer 外文期刊 2007 作者:  Jia, R;  Kasai, S;  Wang, Q;  Long, SB;  Bin Niu, J 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 Level Transient Spectroscopy  Field-effect Transistors  Wrap-gate Control   Growth and characterization of 0.8-mu m gate length AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrates 外文期刊 2005 作者:  Wang, XL;  Wang, CM;  Hu, GX;  Wang, JX;  Ran, JX 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26 Field-effect Transistors  Surface Passivation