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科研机构
半导体研究所 [16]
内容类型
期刊论文 [12]
会议论文 [4]
发表日期
2013 [1]
2011 [3]
2010 [1]
2008 [1]
2005 [1]
2004 [2]
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学科主题
半导体材料 [16]
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学科主题:半导体材料
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19μm quantum cascade infrared photodetectors
期刊论文
Applied Physics Letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 19, 页码: 191120 - 191120-4
作者:
Zhai, Shen-Qiang
;
Liu, Jun-Qi
;
Wang, Xue-Jiao
;
Zhuo, Ning
;
Liu, Feng-Qi
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2014/02/12
Aluminium Compounds
Gallium Compounds
Iii-v Semiconductors
Indium Compounds
Infrared Detectors
Leakage Currents
Photodetectors
Photodetectors
Bolometers
Infrared Submillimeter Wave microWave And radioWave Receivers And Detectors
Improved performance of GaAs-based micro-solar cell with novel polyimide/SiO2/TiAu/SiO2 structure
期刊论文
science china-technological sciences, 2011, 卷号: 54, 期号: 4, 页码: 830-834
作者:
Zhang H
;
Zhang XW
;
Wang Y
;
Huang TM
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浏览/下载:54/8
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提交时间:2011/07/05
micro-solar cell
SI-GaAs
leakage current
insulating layer
PERIMETER RECOMBINATION
Electrical characteristics of a vertical light emitting diode with N-type contacts on a selectively wet-etching roughened surface
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 24009
Wang, Liancheng
;
Guo, Enqing
;
Liu, Zhiqiang
;
Yi, Xiaoyan
;
Wang, Guohong
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/06/14
Gallium nitride
Leakage currents
Light emission
Light emitting diodes
Metallizing
Polarization
Testing
Water analysis
The transport mechanism of gate leakage current in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
期刊论文
european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 30104
作者:
Deng QW
;
Hou QF
;
Bi Y
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2011/09/14
GAN
Analysis of leakage current in GaAs micro-solar cell arrays
期刊论文
science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 5, 页码: 1240-1246
Wang YS (Wang YanShuo)
;
Chen NF (Chen NuoFu)
;
Zhang XW (Zhang XingWang)
;
Bai
;
YM (Bai YiMing)
;
Wang Y (Wang Yu)
;
Huang TM (Huang TianMao)
;
Zhang H (Zhang Han)
;
Shi HW (Shi HuiWei)
收藏
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浏览/下载:209/44
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提交时间:2010/05/24
micro-solar cell
MEMS (micro-electromechanical systems)
leakage current
RECOMBINATION
VOLTAGE
Growth and fabrication of AlGaN/GaN HEMT based on Si(111) substrates by MOCVD
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111
Luo, WJ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Guo, LC
;
Li, JP
;
Liu, HX
;
Chen, YL
;
Yang, FH
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/GaN
high electron mobility transistor (HEMT)
Si (111)
QE and Suns-V-oc study on the epitaxial CSiTF solar cells
期刊论文
science in china series e-engineering & materials science, 2005, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 41-52
Bin A
;
Shen H
;
Ban Q
;
Liang ZC
;
Chen RL
;
Shi ZR
;
Liao XB
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/03/17
SSP ribbon
Formation of total-dose-radiation hardened materials by sequential oxygen and nitrogen implantation and multi-step annealing
期刊论文
semiconductor science and technology, 2004, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 571-573
Yi WB
;
Zhang EX
;
Chen M
;
Li N
;
Zhang GQ
;
Liu ZL
;
Wang X
收藏
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浏览/下载:179/57
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提交时间:2010/03/09
LAYERS
Influence of nitrogen annealing on electrical properties of lead zirconate titanate thin film deposited on titanium metal foil
期刊论文
materials letters, 2004, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 706-710
Zhang, GQ
;
Zou, Q
;
Sun, P
;
Mei, X
;
Ruda, HE
收藏
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浏览/下载:62/9
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提交时间:2010/03/09
ferroelectrics
Fabrication of novel double-hetero-epitaxial SOT structure Si/gamma-Al2O3/Si
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 3-4, 页码: 255-260
Tan LW
;
Wang QY
;
Wang J
;
Yu YH
;
Liu ZL
;
Lin LY
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
heteroepitaxial growth
gamma-Al2O3
silicon
silicon on insulator
FILMS
SI
DEPOSITION
AL2O3
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