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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2007 [1]
2006 [1]
2004 [1]
学科主题
光电子学 [3]
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学科主题:光电子学
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Does an enhanced yellow luminescence imply a reduction of electron mobility in n-type GaN?
期刊论文
journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 11, 页码: art. no. 113521
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
;
Liang, JW
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:51/5
  |  
提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
X-RAY-DIFFRACTION
MG-DOPED GAN
UNDOPED GAN
PHOTOLUMINESCENCE BANDS
THREADING DISLOCATIONS
POSITRON-ANNIHILATION
GROWTH STOICHIOMETRY
GALLIUM NITRIDE
Role of edge dislocations in enhancing the yellow luminescence of n-type GaN
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.241917
作者:
Jiang DS
;
Zhu JJ
;
Li XY
;
Zhang SM
;
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:47/0
  |  
提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
X-RAY-DIFFRACTION
MG-DOPED GAN
UNDOPED GAN
PHOTOLUMINESCENCE BANDS
THREADING DISLOCATIONS
POSITRON-ANNIHILATION
GROWTH STOICHIOMETRY
GALLIUM NITRIDE
Polarization effects simulation of AlGaN/GaN heterojunction by using a symbolistic delta-doping layer
期刊论文
solid state communications, 2004, 卷号: 132, 期号: 10, 页码: 701-705
Li, N
;
Zhao, DG
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:152/59
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提交时间:2010/03/09
AlGaN/GaN
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