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| Fabrication of substrates with a useful layer of monocrystalline semiconductor material 专利
专利号: US10002763, 申请日期: 2018-06-19, 公开日期: 2018-06-19
作者: LETERTRE, FABRICE; GHYSELEN, BRUNO; RAYSSAC, OLIVIER
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| Electrochemical hydrogenation device comprises planar laminated assembly formed by overlapping following plane, hydrogen dissociation catalyst layer through which when hydrogen is passed, dissociated into hydrogen protons and electrons. 专利
申请日期: 2018-01-01, 公开日期: 2018-04-17
作者: DAI Y HE G
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| Methods for photo-excitation of precursors in epitaxial processes using a rotary scanning unit 专利
专利号: US9499909, 申请日期: 2016-11-22, 公开日期: 2016-11-22
作者: MOFFATT, STEPHEN
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| Natural gas storage layer aquo-complex-structure mutual action forecast method, involves calculating use of stress relief method in solving module with stress hydrate reservoirs and structures in hydrate dissociation conditions. 专利
申请日期: 2016-01-01, 公开日期: 2016-01-06
作者: LI Y LIU Y LIU W SONG Y XU B ZHAO J
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| Apparatus and methods for pulsed photo-excited deposition and etch 专利
专利号: US9123527, 申请日期: 2015-09-01, 公开日期: 2015-09-01
作者: MOFFATT, STEPHEN
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| Electronic module with fluid dissociation electrodes and methods 专利
专利号: AU2002306686B2, 申请日期: 2004-09-02, 公开日期: 2004-09-16
作者: LANGE, MICHAEL; NEWTON, CHARLES; SNYDER, STEVEN
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| 半導体レ-ザの製造方法 专利
专利号: JP1994032335B2, 申请日期: 1994-04-27, 公开日期: 1994-04-27
作者: 井手 雄一
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| Manufacture of semiconductor device containing aluminum 专利
专利号: JP1992317320A, 申请日期: 1992-11-09, 公开日期: 1992-11-09
作者: KIYAMII RENII ABAANASUI; UIRIAMU SUKOTSUTO HOBUSON; ANDORIYUU SUCHIIBUN JIYORUDAN; SUCHIIBUN JIYON PIATON; FUAN REN
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| - 专利
专利号: JP1988059553B2, 申请日期: 1988-11-21, 公开日期: 1988-11-21
作者: -
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| Manufacture of semiconductor element 专利
专利号: JP1987186525A, 申请日期: 1987-08-14, 公开日期: 1987-08-14
作者: MURAKAMI TOMOKI
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