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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The two- to three-dimensional growth transition of InAs/GaAs epitaxy layer studied by reflectance difference spectroscopy 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 8, 页码: art. no. 083513 Zhou GY (Zhou G. Y.); Chen YH (Chen Y. H.); Tang CG (Tang C. G.); Liang LY (Liang L. Y.); Jin P (Jin P.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/12/05 QUANTUM-DOT SYSTEM  ISLAND FORMATION  IN-SITU  EVOLUTION  GAAS  PHOTOLUMINESCENCE   Finite element analysis of stress and strain distributions in InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 1315-1319 Zhou WM; Wang CY; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/04/11 quantum dots  strain and stress distribution  strain energy  finite element method  ISLANDS  GROWTH  GAAS  GAAS(001)  EVOLUTION   Effects of reactor pressure on GaN nucleation layers and subsequent GaN epilayers grown on sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 3-4, 页码: 348-352 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：230/30  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowth  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-QUALITY GAN  BUFFER LAYER  THREADING DISLOCATIONS  TEMPERATURE  EVOLUTION  SURFACE  MOVPE   Structural characteristic of cubic GaN nucleation layers on GaAs(001) substrates by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 1-2, 页码: 124-128 Zheng XH; Feng ZH; Wang YT; Zheng WL; Jia QJ; Jiang XM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：125/0  |  提交时间：2010/08/12 nucleation layers  X-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  gallium compounds  nitrides  LIGHT-EMITTING-DIODES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AIN BUFFER LAYER  GROWN GAN  SAPPHIRE SUBSTRATE  QUALITY  FILMS  BLUE  TEMPERATURE  EVOLUTION