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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Vi/ii ratio-dependent growth and photoluminescence of cubic cdse epilayers by molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 329, 期号: 1, 页码: 1-5 作者:  Zhao, Jie;  Zeng, Yiping;  Yang, Qiumin;  Li, Yiyang;  Cui, Lijie 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Reflection high-energy electron diffraction  X-ray diffraction  Atomic force microscopy  Molecular beam epitaxy  Cadmium compounds  Semiconducting ii-vi materials   Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane inn films grown on gamma-lialo2(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文 Journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 5 作者:  Fu, D.;  Zhang, R.;  Liu, B.;  Xie, Z. L.;  Xiu, X. Q. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402 Fu D; Zhang R; Liu B; Xie ZL; Xiu XQ; Gu SL; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：32/2  |  提交时间：2011/07/05 FUNDAMENTAL-BAND GAP  INDIUM NITRIDE  BUFFER LAYER  DEPENDENCE  SAPPHIRE  MOCVD   The effect of an electric field on the nonlinear response of inas/gaas quantum dots 期刊论文 Journal of optics, 2010, 卷号: 12, 期号: 5, 页码: 5 作者:  Huang, X.;  Zhang, X. H.;  Zhu, Y. G.;  Li, T.;  Han, L. F. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas quantum dots  Nonlinear refraction  Reflection z-scan  Dc electric field effect   The refractive nonlinearities of inas/gaas quantum dots above-bandgap energy 期刊论文 Optics communications, 2010, 卷号: 283, 期号: 7, 页码: 1510-1513 作者:  Huang, X.;  Zhang, X. H.;  Zhu, Y. G.;  Li, T.;  Han, L. F. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas quantum dots  Nonlinear refraction  Reflection z-scan   The effect of an electric field on the nonlinear response of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of optics, 2010, 卷号: 12, 期号: 5, 页码: art. no. 055203 Huang X (Huang X.); Zhang XH (Zhang X. H.); Zhu YG (Zhu Y. G.); Li T (Li T.); Han LF (Han L. F.); Shang XJ (Shang X. J.); Ni HQ (Ni H. Q.); Niu ZC (Niu Z. C.) 收藏  |  浏览/下载：77/6  |  提交时间：2010/08/17 InAs quantum dots  nonlinear refraction  reflection Z-scan  dc electric field effect  ELECTROOPTIC PROPERTIES  SATURABLE ABSORBER  OPTICAL-PROPERTIES  WELL STRUCTURES  SINGLE-BEAM  BAND-GAP  ELECTROABSORPTION  ABSORPTION  REFLECTION  DEPENDENCE   The refractive nonlinearities of InAs/GaAs quantum dots above-bandgap energy 期刊论文 optics communications, 2010, 卷号: 283, 期号: 7, 页码: 1510-1513 作者:  Zhang XH 收藏  |  浏览/下载：145/2  |  提交时间：2010/04/22 InAs quantum dots  Nonlinear refraction  Reflection Z-scan  REFLECTION Z-SCAN  OPTICAL NONLINEARITIES  2-PHOTON ABSORPTION  SATURABLE ABSORBER  WELL STRUCTURES  SINGLE-BEAM  ELECTROABSORPTION  DISPERSION  SOLIDS  GAAS   Fabrication of gdsi2 film by low-energy ion-beam implantation 期刊论文 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 262, 期号: 1-4, 页码: 186-190 作者:  Li, YL;  Chen, NF;  Zhou, JP;  Song, SL;  Yang, SY 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Scanning electron microscopy  X-ray diffraction  X-ray photoelectron spectroscopy  Ion-beam implantation  Gadolinium disilicide   Fabrication of GdSi2 film by low-energy ion-beam implantation 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 262, 期号: 1-4, 页码: 186-190 Li YL; Chen NF; Zhou JP; Song SL; Yang SY; Liu ZK 收藏  |  浏览/下载：44/14  |  提交时间：2010/03/09 scanning electron microscopy