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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Characterization of strain relaxation in As ion implanted Si1-xGex epilayers grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 7, 页码: 845-847 Zou LF; Wang ZG; Sun DZ; Fan TW; Liu XF; Zhang JW 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 HETEROSTRUCTURES  PRECIPITATION  ALLOYS   RBS STUDIES OF THE LATTICE DAMAGE CAUSED BY 1 MEV SI+ IMPLANTATION INTO AL0.3GA0.7AS/GAAS SUPERLATTICES AT ELEVATED-TEMPERATURE 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1994, 卷号: 90, 期号: 0, 页码: 392-395 XU TB; ZHU PR; ZHOU JS; LI DQ; GONG B; WAN Y; MU SM; ZHAO QT; WANG ZL 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/15 ION-IMPLANTATION  AMORPHIZATION