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科研机构
半导体研究所 [11]
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期刊论文 [9]
会议论文 [2]
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2012 [1]
2011 [1]
2009 [1]
2008 [2]
2007 [1]
2006 [2]
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学科主题
光电子学 [11]
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学科主题:光电子学
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Microstructural and mechanical characteristics of laser welding of Ti6Al4V and lead metal
期刊论文
journal of materials processing technology, 2012, 卷号: 212, 期号: 7, 页码: 1520-1527
Zhao, SS
;
Yu, G
;
He, XL
;
Hu, YW
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2013/02/05
Infrared response of the lateral PIN structure of a highly titanium-doped silicon-on-insulator material
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 106104
Ma, ZH
;
Cao, Q
;
Zuo, YH
;
Zheng, J
;
Xue, CL
;
Cheng, BW
;
Wang, QM
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2012/02/06
infrared response
ion implantation
rapid thermal annealing
intermediate band solar cell
PHOTODIODE
Inductively coupled plasma etching in fabrication of 2D InP-based photonic crystals
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2009, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 1093-1096
Wang HL
;
Xing MX
;
Ren G
;
Zheng WH
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浏览/下载:122/0
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提交时间:2010/03/08
III-V semiconductors
indium compounds
photonic crystals
plasma materials processing
semiconductor lasers
sputter etching
High-temperature AlN interlayer for crack-free AlGaN growth on GaN
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: art. no. 043516
Sun, Q
;
Wang, JT
;
Wang, H
;
Jin, RQ
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Zhao, DG
;
Yang, H
;
Zhou, SQ
;
Wu, MF
;
Smeets, D
;
Vantomme, A
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2010/03/08
STRESS
SI(111)
REDUCTION
THICKNESS
Structural characterization of mn implanted AlInN
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 11, 页码: art. no. 115404
Majid A
;
Ali A
;
Zhu JJ
;
Wang YT
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浏览/下载:62/3
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提交时间:2010/03/08
ION-IMPLANTATION
Influence of AlN thickness on strain evolution of GaN layer grown on high-temperature AlN interlayer
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 17, 页码: 5252-5255
Liu, W (Liu, W.)
;
Wang, JF (Wang, J. F.)
;
Zhu, JJ (Zhu, J. J.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Yang, H (Yang, H.)
收藏
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/03/29
STRESS
Reduction of dislocations in GaN epilayer grown on Si (111) substrates using a GaN intermedial layer
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2591-2594
Wang JF (Wang Jian-Feng)
;
Zhang BS (Zhang Bao-Shun)
;
Zhang JC (Zhang Ji-Cai)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Chen J (Chen Jun)
;
Liu W (Liu Wei)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Yao DZ (Yao Duan-Zheng)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HIGH-QUALITY GAN
ALN BUFFER LAYER
NUCLEATION LAYER
PHASE EPITAXY
EVOLUTION
DENSITY
SILICON
STRESS
SI
Strain analysis of InP/InGaAsP wafer bonded on Si by X-ray double crystalline diffraction
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2006, 卷号: 133, 期号: 1-3, 页码: 117-123
Zhao HQ (Zhao Hong-Quan)
;
Yu LJ (Yu Li-Juan)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/04/11
InP
Si
X-ray double crystalline diffraction
thermal strain
wafer bonding
OPTOELECTRONIC DEVICES
EPITAXIAL OVERGROWTHS
TEMPERATURE
INTERFACE
STRESSES
VCSELS
SURFACES
ENERGY
Stress analysis of silica-based arrayed waveguide grating by a finite element method
会议论文
photonics asia symposium 2002, shanghai, peoples r china, oct 14-18, 2002
Deng XQ
;
Yang QQ
;
Wang HJ
;
Hu XW
;
Wang QM
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/10/29
finite element method
stress
silica optical waveguide on silicon
birefringence
OPTICAL WAVE-GUIDES
DIFFERENCE METHOD
Optical properties of nanometer silicon prepared by silicon ion implanted into SiO2 layers
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 1999, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 417-422
Ding K
;
Li GH
;
Han HX
;
Wang ZP
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/08/12
nc-Si
ion implantation
thermal annealing
photoluminescence
Raman scattering
VISIBLE-LIGHT EMISSION
THERMAL SIO2-FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
NANOCRYSTALS
LUMINESCENCE
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