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科研机构
半导体研究所 [6]
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期刊论文 [6]
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2011 [1]
2004 [1]
2002 [1]
2001 [1]
2000 [1]
1993 [1]
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学科主题
半导体材料 [6]
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学科主题:半导体材料
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Well-aligned Zn-doped tilted InN nanorods grown on r-plane sapphire by MOCVD
期刊论文
nanotechnology, 2011, 卷号: 22, 期号: 23, 页码: article no.235603
作者:
Song HP
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浏览/下载:69/3
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提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SEMICONDUCTOR NANOWIRES
NITRIDE NANOTUBES
GAN
EMISSION
MECHANISM
The fabrication and properties of InAs/GaAs columnal islands
期刊论文
acta physica sinica, 2004, 卷号: 53, 期号: 1, 页码: 301-305
Zhu TW
;
Bo X
;
Jun H
;
Zhao FA
;
Zhang CL
;
Xie EQ
;
Liu FQ
;
Wang ZG
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浏览/下载:51/17
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提交时间:2010/03/09
InAs/GaAs columnal islands
The effects of concomitant In and N incorporation on the photoluminescence of GaInNAs
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 2, 页码: 261-266
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wells
III-V semiconductors
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SINGLE-QUANTUM-WELL
LUMINESCENCE
GAAS
LOCALIZATION
BEHAVIOR
LAYER
Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 501-505
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:147/24
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提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy
quantum wells
semiconducting IIIV materials
LUMINESCENCE
GAASN
Temperature dependence of electron redistribution in modulation-doped InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 3, 页码: 199-204
作者:
Xu B
;
Ye XL
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
InAs/GaAs
MBE
photoluminescence
absorption
OPTICAL-PROPERTIES
PHOTOLUMINESCENCE
SPECTROSCOPY
INGAAS
LASER
OPTICAL CHARACTERISTICS OF GAAS/ALGAAS RIDGE-QUANTUM-WELL-WIRES GROWN BY MBE ON NONPLANAR SUBSTRATES
期刊论文
solid state communications, 1993, 卷号: 87, 期号: 4, 页码: 285-288
QIAN Y
;
CHEN LH
;
WANG QM
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/11/15
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HETEROSTRUCTURES
LASERS
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