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半导体研究所 [16]
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期刊论文 [14]
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Anisotropic spin splitting in step quantum wells
期刊论文
Chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 4
作者:
Hao Ya-Fei
;
Chen Yong-Hai
;
Hao Guo-Dong
;
Wang Zhan-Guo
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/05/12
Anisotropic Spin Splitting in Step Quantum Wells
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: art. no. 037103
作者:
Hao GD
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浏览/下载:89/31
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提交时间:2010/03/08
RELAXATION ANISOTROPY
INVERSION ASYMMETRY
HETEROSTRUCTURES
LAYERS
Grating optimization and experiment on high-power distributed feedback lasers
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 1613-1616
Fu SH (Fu Sheng-Hui)
;
Song GF (Song Guo-Feng)
;
Chen LH (Chen Liang-Hui)
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/03/29
DFB lasers
Characteristic of rapid thermal annealing on GaIn(N)(Sb)As/GaAs quantum well grown by molecular-beam epitaxy
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 3, 页码: art.no.034903
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:121/0
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提交时间:2010/04/11
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
OPTICAL-PROPERTIES
LASERS
NITROGEN
ORIGIN
Optical characteristics of InAs quantum dots on GaAs matrix by using various InGaAs structures
期刊论文
journal of wuhan university of technology-materials science edition, 2006, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 76-79
Kong LM (Kong Lingmin)
;
Cai JF (Cai Jiafa)
;
Wu ZY (Wu Zhengyun)
;
Gong Z (Gong Zheng)
;
Fang ZD (Fang Zhidan)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/04/11
InGaAs layer
InAs quantum dots
time-resolved PL spectra
1.3 MU-M
CARRIER DYNAMICS
LASERS
GROWTH
WAVELENGTH
EMISSION
ISLANDS
LAYERS
SIZE
Growth of InAs quantum dots on vicinal GaAs (100) substrates by metalorganic chemical vapor deposition and their optical properties
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 2, 页码: 477-484
作者:
Ye XL
;
Liang S
;
Pan JQ
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/04/11
bimodal size distribution
metalorganic vapor phase epitaxy
self-assembled quantum dots
indium arsenide
PHASE-EPITAXY
ISLANDS
INGAAS
SIZE
LASER
Structure and photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum dots grown via cycled (InAs)(n)/(GaAs)(n) monolayer deposition
期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 3, 页码: 1154-1157
He J
;
Wang XD
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Qu SC
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/08/12
MBE
InGaAs/GaAs
quantum dots
photoluminescence
morphology
MU-M
WELL STRUCTURES
GAAS
LASERS
TEMPERATURE
STATES
INP
Optical study on the coupled GaAsSb/GaAs double quantum wells
会议论文
conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002
作者:
Jiang DS
;
Zhang Y
;
Zhang Y
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/10/29
LASERS
GAIN
GAAS
Determination of the values of hole-mixing coefficients due to interface and electric field in gaas/alxga1-xas superlattices
期刊论文
Physical review b, 2001, 卷号: 63, 期号: 11, 页码: 6
作者:
Ye, XL
;
Chen, YH
;
Wang, JZ
;
Wang, ZG
;
Yang, Z
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Substrate dependence of InGaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2001, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 197-201
作者:
Xu B
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浏览/下载:98/6
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提交时间:2010/08/12
ORIENTED GAAS
INAS ISLANDS
HIGH-INDEX
SURFACES
TEMPERATURE
TOPOGRAPHY
STRAIN
LASER
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