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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Generation of Rashba Spin−Orbit Coupling in CdSe Nanowire by Ionic Liquid Gate 期刊论文 Nano Letters, 2015, 卷号: 15, 页码: 1152−1157 Shan Zhang; Ning Tang; Weifeng Jin; Junxi Duan; Xin He; Xin Rong; Chenguang He; Lisheng Zhang; Xudong Qin; Lun Dai; Yonghai Chen; Weikun Ge; Bo Shen 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2016/03/23 Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation 期刊论文 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016 Li H; Zhou K; Pang JB; Shao YD; Wang Z; Zhao YW 收藏  |  浏览/下载：52/10  |  提交时间：2011/07/05 UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE  SELF-DIFFUSION  NATIVE DEFECTS  N-TYPE  CRYSTALS  CATHODOLUMINESCENCE  PHOTOLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  SPECTROSCOPY  LUMINESCENCE   Spin precession induced by an effective magnetic field in a two-dimensional electron gas 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 23, 页码: art. no. 233108 作者:  Jia CH 收藏  |  浏览/下载：259/47  |  提交时间：2010/03/08 quantum wells  spin polarised transport  spin-orbit interactions  two-dimensional electron gas   Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD 期刊论文 journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18 Fang CB; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Wang CM; Li JM 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 MOCVD  GaN  resistivity  TSC  N-TYPE GAN  DOPED GAN  SPECTROSCOPY  CARBON  FE