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科研机构
半导体研究所 [5]
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期刊论文 [4]
会议论文 [1]
发表日期
2004 [2]
2001 [2]
1997 [1]
学科主题
半导体物理 [5]
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学科主题:半导体物理
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Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 336-341
作者:
Zhang YH
;
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:284/63
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提交时间:2010/03/09
molecular beam epitaxy
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003
作者:
Zhang YH
;
Jiang DS
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
quantum wells
GaAsSb/GaAs
GAAS
LASERS
GAIN
Microtwins and twin inclusions in the 3C-SiC epilayers grown on Si(001) by APCVD
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 777-782
Zheng XH
;
Qu B
;
Wang YT
;
Dai ZZ
;
Yang H
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:95/12
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提交时间:2010/08/12
3C-SiC
microtwins
X-ray four-circle diffractometer
APCVD
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SILICON-CARBIDE
PHASE EPITAXY
THIN-FILMS
GAN
SI
SUBSTRATE
DEFECTS
NITRIDE
MBE
Multiplicity factor and diffraction geometry factor for single crystal X-ray diffraction analysis and measurement of phase content in cubic GaN/GaAs(001) epilayers
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 4, 页码: 497-503
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Feng ZH
;
Han JY
;
Liu S
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:106/6
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提交时间:2010/08/12
four-circle diffraction
GaN
phase content
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAN FILMS
GROWTH
STABILITY
RATIO
Structural ordering and interface morphology in symmetrically strained (GaIn)As/Ga(PAs) superlattices grown on off-oriented GaAs(100)
期刊论文
physical review b, 1997, 卷号: 55, 期号: 8, 页码: 5276-5283
Giannini C
;
Tapfer L
;
Zhuang Y
;
De Caro L
;
Marschner T
;
Stolz W
收藏
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浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2010/11/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
X-RAY-DIFFRACTION
SURFACE-MORPHOLOGY
ROUGHNESS
FILMS
HETEROSTRUCTURES
MULTILAYERS
INGAAS
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