×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
厦门大学 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2012 [1]
2011 [1]
2010 [1]
2006 [2]
2005 [2]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
限定条件
专题:厦门大学
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
A high open-circuit voltage gallium nitride betavoltaic microbattery
期刊论文
2012
Cheng, Zaijun
;
Chen, Xuyuan
;
San, Haisheng
;
伞海生
;
Feng, Zhihong
;
Liu, Bo
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2013/03/18
GAN/SAPPHIRE INTERFACE
DIODE
LAYER
Demonstration of a High Open-Circuit Voltage GaN Betavoltaic Microbattery
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1088/0256-307X/28/7/078401, 2011
Cheng Zai-Jun
;
San Hai-Sheng
;
Chen Xu-Yuan
;
Liu Bo
;
Feng Zhi-Hong
;
伞海生
;
陈旭远
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/07/22
GAN/SAPPHIRE INTERFACE
DIODE
LAYER
Normal incidence p-i-n Ge heterojunction photodiodes on Si substrate grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1016/j.optcom.2010.04.098, 2010
Zhou, ZW
;
He, JK
;
Wang, RC
;
Li, C
;
Yu, JZ
;
李成
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2013/12/12
SI(100)
Temperature dependence of electroluminescence from silicon p-i-n light-emitting diodes
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.2217107, 2006
Li, C.
;
Lai, H. K.
;
Chen, S. Y.
;
Suemasu, T.
;
Hasegawa, F.
;
陈松岩
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2013/12/12
EMISSION
Temperature dependence of electroluminescence from silicon p-i-n light-emitting diodes
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.2217107, 2006
Li, C
;
Lai, HK
;
Chen, SY
;
Suemasu, T
;
Hasegawa, F
;
李成
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2013/12/12
EMISSION
聚合物发光电化学池的研究——中国科学院有机固体重点实验室导电聚合物电化学研究工作简介(Ⅱ)
期刊论文
http://electrochem.xmu.edu.cn/CN/abstract/abstract8954.shtml, 2005
李永舫
;
LI Yong-fang
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2013/11/18
聚合物发光电化学池
发光聚合物
电化学
交流阻抗
离子液体
Polymer light-emitting electrochemical cell
Luminescent polymers
Electrochemistry
Ac impedance
Ionic liquids
Room-temperature electroluminescence of a Si-based p-i-n diode with beta-FeSi2 particles embedded in the intrinsic silicon
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.1855397, 2005
Li, C
;
Suemasu, T
;
Hasegawa, F
;
李成
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2013/12/12
1.5 MU-M
BEAM-SYNTHESIZED BETA-FESI2
ELECTRONIC-PROPERTIES
PHOTOLUMINESCENCE
LUMINESCENCE
DEPOSITION
EPITAXY
ORIGIN
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace