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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers 期刊论文 thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230 Hao RT (Hao Ruiting); Deng SK (Deng Shukang); Shen LX (Shen Lanxian); Yang PZ (Yang Peizhi); Tu JL (Tu Jielei); Liao H (Liao Hua); Xu YQ (Xu Yingqiang); Niu ZC (Niu Zhichuan) 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/12/28 Gallium Arsenide  Gallium antimonide  Gallium antimonide/Aluminum antimonide  Superlattices  Molecular Beam Epitaxy  VAPOR-PHASE EPITAXY  SURFACE-MORPHOLOGY  GROWTH  SUPERLATTICES  TEMPERATURE  RELAXATION  DETECTORS  GAAS(001)  MOCVD  FILMS   A simple route of morphology control and structural and optical properties of ZnO grown by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 3063-3066 Fan, HB; Yang, SY; Zhang, PF; Wei, HY; Liu, XL; Jiao, CM; Zhu, QS; Chen, YH; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：80/3  |  提交时间：2010/03/08 SINGLE-CRYSTAL  PHASE EPITAXY  SAPPHIRE  NANORODS  FILMS   AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD 会议论文 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Tang, J; Wang, XL; Xiao, HL; Ran, JX; Wang, CM; Wang, XY; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/03/09 PERFORMANCE  HETEROSTRUCTURES  OPTIMIZATION  MOBILITY   Bioactivity of Mg-ion-implanted zirconia and titanium 期刊论文 applied surface science, 2007, 卷号: 253, 期号: 6, 页码: 3326-3333 Liang H; Wan YZ; He F; Huang Y; Xu JD; Li JM; Wang YL; Zhao ZG 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/03/29 bioactivity   Using different carrier gases to control AlN film stress and the effect on morphology, structural properties and optical properties 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 23, 页码: 7462-7466 Hu, WG; Liu, XL; Jiao, CM; Wei, HY; Kang, TT; Zhang, PF; Zhang, RQ; Fan, HB; Zhu, QS 收藏  |  浏览/下载：54/4  |  提交时间：2010/03/08 VAPOR-PHASE EPITAXY  WURTZITE-TYPE CRYSTALS  THIN-FILMS  ALUMINUM NITRIDE  INTRINSIC STRESS  GAN  SAPPHIRE  AIN  DEPOSITION  STRAIN   Realization of quantum cascade laser operating at room temperature 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 285-289 作者:  Jin P;  Li CM 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 crystal structure  lattice-mismatch  microsctucture  radiation  X-ray diffraction  molecular beam epitaxy  infrared devices  quantum cascade laser  MU-M   Influences of reactor pressure of GaN buffer layers on morphological evolution of GaN grown by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：292/3  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowths  surface morphology  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  QUALITY  TEMPERATURE   A geometrical model of GaN morphology in initial growth stage 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 115-120 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：78/8  |  提交时间：2010/08/12 computer simulation  crystal morphology  atomic force microscopy  nitrides  AIN BUFFER LAYER  SAPPHIRE   Very low-pressure VLP-CVD growth of high quality gamma-Al2O3 films on silicon by multi-step process 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 261-266 Tan LW; Zan YD; Wang J; Wang QY; Yu YH; Wang SR; Liu ZL; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：81/3  |  提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  EPITAXIAL-GROWTH  AL2O3 FILMS  SI