QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhanced performance of InGaN light-emitting diodes with InGaN/GaN supperlattice and graded-composition InGaN/GaN supperlattice interlayers 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2014, 卷号: 211, 期号: 7, 页码: 1640-1644 Yang, YJ; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/03/25 Enhanced performance of InGaN light-emitting diodes with InGaN and composition-graded InGaN interlayers 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2014, 卷号: 116, 期号: 4, 页码: 1757-1760 Yang, YJ; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2015/04/02 Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.48102 作者:  Pan X;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：83/7  |  提交时间：2011/07/05 ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  AL-CONTENT  STRESS-CONTROL  PHASE EPITAXY  ALGAN  BUFFER  LAYERS  HETEROSTRUCTURES  INTERLAYERS  SILICON   Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文 journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  ALN INTERLAYERS  FILMS  STRESS  LAYERS  DISLOCATIONS  REDUCTION  DENSITY  DIODES   Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111) 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299 Wu, JJ; Zhao, LB; Zhang, GY; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG; Jia, QJ; Guo, LP; Hu, TD 收藏  |  浏览/下载：65/3  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACTANT  SUBSTRATE  STRESS  SI  REDUCTION  SAPPHIRE   Influence of different interlayers on growth mode and properties of InN by MOVPE 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 238-241 Zhang, RQ; Liu, XL; Kang, TT; Hu, WG; Yang, SY; Jiao, CM; Zhu, QS 收藏  |  浏览/下载：51/3  |  提交时间：2010/03/08 DEFECT STRUCTURE  EPITAXIAL GAN  BAND-GAP   The effect of AlN growth time on the electrical properties of Al0.38Ga0.62N/AlN/GaN HEMT structures 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 2, 页码: 415-418 Wang CM; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Xiao HL; Li JP 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/04/11 2DEG  MOCVD  semiconducting III-V materials  HEMT  power devices  HETEROSTRUCTURES  PASSIVATION  SAPPHIRE  ALGAN  FIELD  GAS   Effects of ZnO interlayers on thick GaN/Si film prepared by RF magnetron sputtering 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 258-262 Zhang CG; Blan LF; Chen WD; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/04/11 radio-frequency magnetron sputtering   Crack-free GaN/Si(111) epitaxial layers grown with InAlGaN alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 335-340 作者:  Li DB;  Wei HY;  Han XX 收藏  |  浏览/下载：58/22  |  提交时间：2010/03/17 cracks   Growth and properties of GaN on Si (111) substrates with AlGaN/AlN buffer layer by NH3-GSMBE 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2005, 卷号: 38, 期号: 12, 页码: 1888-1891 Zhang NH; Wang XL; Zeng YP; Xiao HL; Wang JX; Liu HX; Li JM 收藏  |  浏览/下载：64/25  |  提交时间：2010/03/17 TEMPERATURE ALN INTERLAYERS